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Un matériau prometteur pour l'électronique de puissance et l'optoélectronique dans l'ultraviolet

Un matériau prometteur pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet

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Pour la première fois, des chercheurs sont parvenus à fabriquer des substrats de large diamètre du semi-conducteur β-Ga2O3 aussi bien de type « n » que de type « p », permettant d’envisager le développement de composants à la fois pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet lointain.

© GEMaC (CNRS/UVSQ) et Nanovation S.A.

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