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Un nouveau dispositif de mémoire résistive basé sur des nanopiliers magnétiques entourés de filaments résistifs en silicium

Un nouveau dispositif de mémoire résistive basé sur des nanopiliers magnétiques entourés de filaments résistifs en silicium

publié le

Des chercheurs ont réalisé des nanopilliers magnétiques entourés par des filaments résistifs de silicium qui ont été utilisés pour développer une nouvelle mémoire « memrésistive ».

Cette nouvelle approche permet d’envisager de nouvelles fonctionnalités qui ne sont pas réalisables par les mémoires non volatiles conventionnelles, comme le calcul “in-memory”, le calcul bio-inspiré ou les architectures Non Von-Neumann.

Figure : Ce travail a été publié dans la revue Advanced Electronic Materials (volume 4, issue 3, Mars 2018) et a été choisie pour faire la couverture du numéro.

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Paris Saclay